低壓無功補償系統發展至今常見的形式分為2種：

1、以電容器、電抗器、投切開關、功率因數控制器及補償系統配套的其他保護元件組成的傳統類型的補償系統，補償后功率因數可達0.96以上
2、以IGBT為核心元件通過對線路進行實時分析，可發出無功對線路進行雙向補償，補償后功率因數接近于1。
第一種形式的補償系統——組成：電容、電抗、投切開關、功率因數控制器及配套保護裝置。

第二種形式：常見類型為模塊化靜止無共發生器SVG/ASVG.

二、低壓無功補償系統——產品組成
組件+投切開關+功率因數控制器
組件：

電容器：干式自愈式低壓電容器（帶電抗類型）常規類型5Kvar、10Kvar、15Kvar、20Kvar、25Kvar、30Kvar。一般組件規格40Kvar電容器組為2只20Kvar電容器配置，50Kvar電容器組為2只25Kvar配置，以此類推；
電抗器：與電容器配套使用，減少3/5/7/11次諧波對電容器影響，可與5Kvar-80Kvar電容器/電容器組匹配。

電容器投切分為動態投切和靜態投切，國標規定響應時間1秒以內為動態投切；超過3秒為靜態投切，投切開關按動態投切使用：晶閘管開關（可控硅開關）；又稱無觸點投切，過零投切，無涌流，通過控制器控制輸出12V直流電壓來控制開關的通斷。
靜態投切使用：電容投切專用接觸器，此種接觸器采用延時投切技術控制電容器投切時涌流的出現。控制器通過無源觸點控制接觸器。
不同的投切開關控制方式不同，因此對應控制器也是不同的。即控制器型號是由投切開關（投切方式）決定的。

希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于18ms，很好地取代傳統投切裝置。